展示製品

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一押し製品

SiCパワーデバイス SiCパワーデバイスコーナー
SiCパワーデバイス搭載DC-DCコンバータSiC-MOSFETを使用したオーディオDCアンプ
S i C ショットキーバリアダイオード
S i C ショットキーバリアダイオード
概要
SiC(シリコンカーバイド)を用いた高耐圧ショットキーバリアダイオードです。逆回復損失が極めて小さいため、スイッチング損失を大幅に低減することができます。
特徴
業界最小クラスの順方向電圧
高速リカバリ特性
スイッチング損失を劇的に低減
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S i C M O S F E T
S i C M O S F E T
概要
SiC(シリコンカーバイド)は、現在の主流であるSi(シリコン)製のパワー半導体素子と比べ、スイッチング損失が小さく、高温領域においても優れた電気的特性をします。
特徴
高速スイッチング
低オン抵抗(Si-MOSFET と比べて温度依存性 小)
電力損失を大幅削減!
スイッチング損失 8 割減(Si-IGBT と比較)
寄生ダイオード通電による素子劣化を解消
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S i C パワーモジュール
S i C パワーモジュール
概要
SiC ショットキーバリアダイオード・SiC-MOSFETを搭載し、従来のSi-IGBT では難しかった100kHz以上の高周波動作を実現できます。
高速スイッチングと低損失化により、定格電流200~400A のSi-IGBT モジュールとの置き換えが可能です。
特徴
高速スイッチング
低スイッチングロス
高速リカバリ
寄生ダイオード通電による素子劣化を解消
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10月1日(火)~10月5日(土)
午前10時〜午後5時
幕張メッセ
キーテクノロジステージ
半導体・デバイスゾーン
Hall 1-3 ブース No.2B40