展示製品

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一押し製品

Hybrid MOS パワーデバイス コーナー 
Hybrid MOS
Hybrid MOS
概要
ロームはスーパージャンクションMOSFET で培った技術を活かし、ウエハ裏面を制御するという新しい構造を採用することで、スーパージャンクションMOSFET のメリットを維持したまま、高温・大電流性能の向上を実現しました。これにより、定格保証域が向上しただけでなく、高速スイッチング、低電流特性を含めたすべての特性において高性能が保証できるため、応用機器範囲も広がります。
また、従来高温・大電流性能を必要とし、IGBT を使用 していたハイパワー分野においても、高速スイッチングや低電流の メリットが提供できるため、機器の大幅な省エネ化にも貢献できます。
特徴
高耐圧 600V
高速スイッチング
MOSFET の低電流性能
高温・大電流性能
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10月1日(火)~10月5日(土)
午前10時〜午後5時
幕張メッセ
キーテクノロジステージ
半導体・デバイスゾーン
Hall 1-3 ブース No.2B40