主な仕様
特性:
パッケージコード
HSMT8 (3.3x3.3)
端子数
8
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
40
ドレイン電流 (直流) ID [A]
95
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0047
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0047
ゲート総電荷量 Qg [nC]
12.5
許容損失 PD [W]
59
駆動電圧 [V]
4.5
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
3.3x3.3 (t=0.75)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ（HSMT8）
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
製品概要
背景
近年、世界的に電力消費量が増大し、電力の有効活用を迫られる中、基地局、サーバーなどの産業機器や、各種モーターにおいても、高効率化が進んでいます。そして、これらのアプリケーションにおいて、中耐圧のMOSFETは、さまざまな回路で使用されており、メーカーから低損失化が求められています。一方、MOSFETの電力損失に繋がる主要なパラメータとしては、オン抵抗とQgdの2つがありますが、一般的なMOSFETでは、チップサイズに対して、オン抵抗は反比例して小さく、Qgdは比例して大きくなるため、両立が困難です。これに対してロームは、プロセスの微細化と銅クリップ接続の採用、ゲート構造の改善により、両者のトレードオフを改善しました。
概要
「RS6xxxxBx / RH6xxxxBxシリーズ」は、プロセスの微細化による素子性能の向上に加えて、抵抗の低い銅クリップ接続のHSOP8/HSMT8パッケージを採用したことにより、従来品より約50％低い業界トップクラスのオン抵抗（Ron） 2.1mΩを達成しています。また、ゲート構造の改善により、一般的にオン抵抗とトレードオフの関係になるQgd（ゲート・ドレイン間電荷量）も従来品比で約40％低減（Ron・Qgdともに、HSOP8パッケージ、60V耐圧品のTyp.値で比較）。これにより、スイッチング損失及び導通損失を低減できるため、各アプリケーションの高効率動作に大きく貢献します。高効率動作の一例として、産業機器向け電源評価基板で電源効率を比較した場合、定常動作時の出力電流範囲において、業界トップクラスの電源効率（ピーク時約95％）を達成しています。
アプリケーション例
◇通信基地局やサーバー用電源
◇産業用・民生用モーター
その他、幅広い機器の電源回路やモータドライブに採用可能です。
