R6006KND4 (新製品)
600V 2.8A SOT-223-3, 高速スイッチング仕様 パワーMOSFET

R6006KNDは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | R6006KND4TL1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | SOT-223-3
包装数量 | 4000
最小個装数量 | 4000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

SOT-223-3

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

600

ドレイン電流 (直流) ID [A]

2.8

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.72

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.72

ゲート総電荷量 Qg [nC]

12

許容損失 PD [W]

12.3

駆動電圧 [V]

10

Trr (Typ.)[ns]

290

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

6.5x7 (t=1.8)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • 並列使用が容易
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

製品概要

 

背景

近年、照明の小型電源やポンプのモーターでは高機能化に伴う小型化が求められており、これらアプリケーションのスイッチング用途に欠かせないMOSFETも、小型製品の需要が高まっています。
Super Junction MOSFETは一般的に、高耐圧かつ低オン抵抗特性の最適なバランスを維持したまま小型化することは困難でした。ロームは搭載チップの形状を見直すことで、従来品の性能を損なうことなく小型化・低背化したSOT-223-3パッケージの機種を開発しました。

概要

従来のTO-252パッケージ(6.60mm×10.00mm×2.30mm)と比較して面積を約31%、厚さを約27%削減でき、アプリケーションの小型化・低背化に貢献します。また、TO-252パッケージの基板上の配線パターン(ランドパターン)を使用できるため、既存の回路基板をそのまま使用することも可能です。

アプリケーション例

照明、エアコン、冷蔵庫など

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