独自の低容量構造により同期整流型DC/DC回路のHigh Sideにおけるスイッチング損失を低減すると同時に、低オン抵抗特性も実現しているためLow Side における導通損失も低減でき、回路全体の効率を大幅に向上することができます。

VMN3（1006サイズ）〜SST3(2913サイズ）までの豊富なパッケージをラインアップし、ポータブル機器に求められる小型・軽量化、部品点数の削減や低消費電力化に貢献します。

新規プロセスの開発及びチップデザインの最適化により、高性能・高di/dt破壊耐量と低ON抵抗を同時に実現。高効率・省エネルギー・高di/dt破壊耐量が要求される、モータドライブ回路やプロジェクタ光源回路等に最適です。

CCFL(EEFL)に比べ環境負荷の少ないLEDバックライト。LEDバックライト駆動用MOSFETシリーズは、LEDバックライトの昇圧コンバータ、ロードスイッチ回路用途に最適なV_DSS＝45V/60Vでラインアップしています。また、業界最高クラスの低ON抵抗でON状態での消費電力を削減します。

2Wのハイパワーを4540サイズで実現。従来SOP8パッケージと比べ、実装面積40％、高さ43％を削減し、機器の小型化に貢献します。さらに、新開発の低オン抵抗素子を採用することにより、SOP8デュアル製品と同等のON抵抗を実現しました。

ロームでは小型ハイパワーのKMD2パッケージにて、ショットキーバリアダイオード（2機種）を量産開始!!KMD2パッケージとは、独自のチップデバイス構造の開発と世界最小クラス（0.6mm x 0.3mm）の小信号ダイオードパッケージ「GMD2」で実績を積んだ超精密加工技術を取り入れることなどによって開発に成功した、業界最小クラスのパワーダイオードパッケージ（1.6mm x 0.8mm）。今後も製品ラインアップの拡充を図り、SBDのみならずツェナーダイオードも開発予定。