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複合トランジスタ(DTR+DTR)

UMH9N

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外観

UMH9N 外観

UMT6

外形寸法

UMH9N 外形寸法

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等価回路図

UMH9N 等価回路図

【製品概要】

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

特長

• リーク吸収型超小型複合バイポーラトランジスタ

製品仕様

絶対最大定格(Ta=25ºC)
定格項目 規格値 条件
電源電圧VCC(V) 50  
入力電圧VIN(V) -6 〜 40  
コレクタ電流IC(A) 0.1 構成トランジスタの特性です
出力電流IO(A) 0.07  
コレクタ損失(トータル)PD(W) 0.15 各端子を推奨ランドに実装した場合
接合部温度Tj(deg) 150  
保存温度Tstg(deg) -55 〜 150  

※記載されている内容は改良などのため予告なく変更する事があります。
ご検討の際は最新の仕様書をご請求いただき、検討いただきますよう、お願いいたします。



製品状況

形名 パッケージ Status
※1		 RoHS
対応		 パッキング
形状		 パッキング
数量		 ダイレクト
販売		 ネット商社
購入		 営業
お問い合せ
UMH9NTN UMT6/SC-88/SOT-363
@ROHM/JEDEC/JEITA		 Active Yes Taping 3000 お問い合せ

※1 Active：量産体制　Preparation：事前準備　Preview：開発中

※2 表示は代表ランクです。hFEランクの指定はご容赦ください。


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