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SiC Power Devices

SiC MOSFET

高速スイッチング可能。特に高温でのオン抵抗が低いため、スイッチング損失や導通損失を大幅に改善できます。
次世代の省エネパワーデバイスとしてラインナップ拡充中です。

特性一覧・検索



製品一覧表
18V駆動 
パッケージ VDSS(V) 600 1200
ID(A)   ピン数   ピン数

TO-220FM

to-220fm
10 SCH2200AX(N) 3 - -

TO-247

to-247
35 - - SCH2080KE(N) 3
☆:開発中
[単位:mm] ( )内のNはNch、PはPchを表しています。

NEW! SiCパワーデバイス