SiCパワーデバイス

SiC Power Devices

スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されているSiC（シリコンカーバイド）。
太陽光・風力発電などのDC/ACコンバータ、プラグインハイブリッドカーや電気自動車などに用いる充電器、さらに産業機器やエアコン向けインバータなど、これら用途の省電力化のキーデバイスとしてSiCパワーデバイスを商品化しています。

製品紹介

特性一覧・検索

Total Capacitive Charge(Qc)が小さいため、スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。
また、Siファストリカバリダイオードのtrrは温度上昇に従って増大するのに対し、SiCではほぼ一定の特性を維持することができます。

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スイッチング動作時のテイル電流が原理的に無いため高速で動作し、スイッチング損失の低減が可能です。
小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できるため低容量・低ゲートチャージを実現しています。Siデバイスが温度上昇に伴い2倍以上オン抵抗が上昇するのに対し、SiCではオン抵抗増加が少なく、機器の小型・省エネ化に貢献します。