
最近の携帯機器の開発は、より多くの機能をいかに手のひらサイズに搭載し、手軽に持ち運びできるかが開発の重要なポイントとなって います。それを実現するために “小型・軽量化”と“バッテリの長寿命化”は必須であり、小型で高性能な部品の開発が要求されています。
各回路ブロックへの電源供給ラインのオン・オフスイッチ用に使用
されるパワーMOSFETは、オン時の消費電力は0Wが理想ですが、実際にはオン抵抗により〈損失P(損失)=RDS(on() オン抵抗)×I(2 電流×電流)〉が発生します。したがってオン抵抗を下げることが機器の消費電力を削減するうえで重要です。
ECOMOSTM(エコモス)では微細加工技術を用いたサブミクロンのセルピッチ構造とすることで、電流容量をチップ単位面積当たり従来製品比約2.5倍に増加させ、低オン抵抗化を実現しました。また本シリーズでは、各機器・回路に適した定格電圧が選べるよう、プロセス・材料の最適化を図り、12V定格品もラインアップすることで、低オン抵抗化を実現しました。
ECOMOSTMは、携帯機器の各種回路に用いることで機器設計者に様々なメリットを与えます。例えばリチウムイオン2次電池の充電制御部では、アダプタとリチウムイオン2次電池の切り替えスイッチ用にPch2素子入り品を、充電制御部の逆流防止用にショットキーバリアダイオード内蔵品を使用することで、回路の簡素化を図ることができます。
| パッケージ(mm) | PD(W) | 極性 | 品名 | VDSS(V) | ID(A) | RDS(ON)Typ.(mΩ) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS=1.5V | VGS=4.5V | |||||||
| VMT3 (1.2×1.2×0.5) |
0.15 | Nch | 20 | 0.3 |
1*1 |
0.7*2 |
||
| EMT3 (1.6×1.6×0.7) |
3.0〜3.6 | Nch | 20 | 0.3 |
1*1 | 0.7*2 | ||
| EMT6 (1.6×1.6×0.5) |
3.0〜3.6 | Nch+Nch | 20 | 0.3 |
1*1 | 0.7*2 | ||
| TUMT3 (2.0×2.1×0.77) |
0.8 | Nch | 20 | 1.5 |
220*1 | 130 | ||
| 20 | 2.5 |
80 | 39 | |||||
| Pch | -12 | -3 | 72 | 28 | ||||
| TUMT6 (2.0×2.1×0.77) |
1 | Nch | 20 | 3.5 | 66 | 31 | ||
| Pch | -12 | -3.5 | 66 | 26 | ||||
| Nch+Nch | 20 | 1.5 | 220*1 | 130 | ||||
| TSMT3 (2.9×2.8×0.85) |
1 | Nch | 20 | 4 | 55 | 23 | ||
| Pch | -12 | -4 | 55 | 22 | ||||
| TSMT6 (2.9×2.8×0.85) |
1.25 | Nch | 20 | 5 | 40 | 22 | ||
| Pch | -12 | -5 | 44 | 19 | ||||
| TSMT8 (3.0×2.8×0.8) |
1.5. | Pch | -12 | -7 | 19 | 8 | ||
| Pch+Pch | -12 | -4.5 | 49 | 21 | ||||
| TSST8 (3.0×1.9×0.8) |
1.25 | Pch | -12 | -5 | 48 | 19 | ||
| Pch+Pch | -12 | -2.5 | 110 | 44 | ||||
| Pch+SBD | -20 | -2.4 | 180 | 80 | ||||
| WEMT6 (1.6×1.6×0.6) |
0.7 | Nch+SBD | 30 | 1.5 | 240*3 | 170 | ||
| Pch+SBD | -20 | -1 |
570*3 | 280 | ||||